Analysis of barrier inhomogeneities in Ti/p–type strained Si0. 95Ge0. 05 Schottky diodes using reverse current-voltage characteristics - Détails de la publication

Production Scientifique P.S.

Analysis of barrier inhomogeneities in Ti/p–type strained Si0. 95Ge0. 05 Schottky diodes using reverse current-voltage characteristics

Auteur

Mohammed Mamor, Khalid Bouziane, Hind Chakir, Pierre Ruterana

Revue

Materials Science in Semiconductor Processing

Année

2024

DOI

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108314

Chercheur

MAMOR Mohammed

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