Improved Temperature-Scalable DC model for SiC power MOSFET including Quasi-Saturation effect - Détails de la publication

Production Scientifique P.S.

Improved Temperature-Scalable DC model for SiC power MOSFET including Quasi-Saturation effect

Auteur

Hicham Er-rafii, Abdelghafour Galadi

Revue

Solid-State Electronics

Année

2024

DOI

10.1016/j.sse.2024.108993

Chercheur

Galadi Abdelghafour

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